SCI Библиотека

С именем выдающегося советского геодезиста и ученого Феодосия Николаевича Красовского связана яркая эпоха развития отечественной научной мысли в области геодезии, эпоха возникновения и развития советской геодезической науки, основоположником и долголетним руководителем которой он являлся. На протяжении своей почти полувековой деятельности он разработал главнейшие научные и методические принципы, на которых начали и продолжают развиваться основные астрономо-геодезические работы СССР. В течение первых 30 лет развития совет ской геодезии он являлся активным участником почти всех важнейших научных, технических и организационных мероприятий в области геодезии.

Как известно, Ф. Н. Красовский принадлежал к числу тех крупных ученых, которые в своих работах не только широко охватывают избранную ими область науки, но занимаются и вопросами смежных с нею областей знания, взаимно развивая их и внося в них свой большой вклад. Так, работая главным образом в области высшей геодезии, он много занимался также вопросами картографии, практической астрономии и гравиметрии. При этом в каждом из указанных направлений его исследования ознаменовались постановкой и решением ряда принципиальных научных вопросов, имеющих большое практическое значение.

По имеющимся данным, Ф. Н. Красовским опубликовано более 120 научных работ, которые охватывают период с 1901 г. по 1947 г.

Бессель жил и работал в первой половине 19 в., однако его имя можно часто встретить в современной учебной и периодической геодезической, астрономической и математической литературе. Это означает, что его работы и исследования не потеряли своего исторического и научного значения для нашего времени. Но, несмотря на это, до сих пор мы не располагаем оригинальными трудами Бесселя по высшей геодезии и способу наименьших квадратов на русском языке. Настоящий сборник избранных его сочинений призван восполнить этот пробел.

Полного собрания сочинений Бесселя до сих пор не издано. В течение 1875— 1876 гг. профессор астрономии и известный издатель Рудольф Энгельман издал в трех томах избранные труды Бесселя по всем направлениям его научной деятельности под названием: „Abhandlungen von Friedrich Wilhelm Bessel“. В первый том вошли труды Бесселя по теоретической и сферической астрономии; во второй — по теории астрономических инструментов, звездной астрономии и математике; в третий — по геодезии и физике.

В наш сборник вошли почти все наиболее существенные работы и исследования Бесселя по высшей геодезии и способу наименьших квадратов. Кроме этого, в сборнике приведены небольшие работы по теории фигуры Земли и астрономии, которые тесно связаны с высшей геодезией.

Изложены основы теории и практики использования материалов землеустройства агрономами, почвоведами-агрохимиками при организации труда, технологии производства сельскохозяйственной продукции и охраны земель от эрозии. Описаны простейшие геодезические приборы, с помощью которых агроном может составить планово-картографический документ или внести изменения в него. Особое внимание уделено методике составления сельскохозяйственных карт и атласов, а также способам их обновления.

В этой книге юный читатель узнает много нового и интересного о географической карте. Материал изложен в увлекательной форме, в виде занимательных рассказов и любопытных задач, имеющих оригинальное решение. Некоторые задачи построены на исторических фактах, примерах из известных художественных произведений. Книга иллюстрирована забавными рисунками, интересными картами и чертежами.

Эта книга создана на основе моей многолетней трудовой деятельности, моей безграничной любви к природе и к своей профессии топографа-геодезиста. Я далек от мысли, что тот, кто прочитает нашу книгу, впоследствии сам станет геодезистом. Цель книги — расширить и углубить знания читателя о природе, помочь ему развить свои интересы в соответствии со своими наклонностями и силами и по возможности оказать влияние на выбор профессии, на выбор дела по душе. Известный русский педагог К. Д. Ушинский говорил: «Если вы удачно выбрали труд и вложите в него свою душу, то счастье само вас отыщет».

Исследованы изменения радиационной стойкости пленки CdS при модификации её поверхности свинецсодержащими нанокластерами (CНК), полученными путем формирования золя с СНК на щелочной субфазе и перенесенными на подложку CdS без использования технологии Ленгмюра–Шеффера. Проведено сравнение эффективности данного метода с ранее разработанными. Показано, что оптимальным являются количество, размер и состав кластеров, полученных при выдержке пленки, состоящей из СНК, на поверхности золя в течение одного часа. Такое покрытие обеспечивает радиационную стойкость пленочного образца CdS при облучении электронами допороговых энергий. При этом достигаемая на этих образцах кратность изменения тока при освещении выше, чем на образцах с покрытием из арахината свинца. Это объясняется модификацией поверхности CdS и созданием на ней локальных возмущений электрического потенциала в местах расположения СНК, способствующих стоку и закреплению образованных электронным облучением заряженных точечных дефектов в области СНК.

Представлены расчеты нагрева кристалла CdxHg1-xTe (КРТ) с x = 0,22 в процессе ионнолучевого травления (ИЛТ) низкоэнергетическими ионами Ar+. Показано, что при хорошем тепловом контакте кристалла и охлаждаемого столика установки нагрев КРТ не превышает 0,2 оС. В случае полного отсутствия теплового контакта образца и столика радиационный нагрев кристалла может превышать 120 оС. Проведено сравнение нагрева КРТ в процессе ИЛТ Ar+ и ионной имплантации аргона.

Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур, полученных на основе эпитаксиальных слоев n-Cd0,24Hg0,76Te, подвергнутых воздействию мягкого рентгеновского излучения. Показано, что в результате релаксации электронных возбуждений в приповерхностном слое полупроводника генерируются точечные дефекты, изменяющие электрофизические свойства этого слоя и границы раздела «диэлектрик-полупроводник».

Проведены расчеты скорости поверхностной рекомбинации для слоев HgCdTe р-типа проводимости при различных концентрациях легирующих примесей и плотности концентрации ловушек Nt. Показано, что при указанных выше начальных параметрах скорость поверхностной рекомбинации Smax находится в диапазоне 10–104 см/с. Проведено моделирование токовой чувствительности для HgCdTe р-типа, используя зависимость квантовой эффективности в приближении больших времен жизни τn0 и больших диффузионных длин Ln неосновных носителей заряда с учетом влияния скорости поверхностной рекомбинации.

Вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-систем на основе nBn-структуры из HgCdTe, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013), впервые исследованы при разных частотах и температурах. При помощи емкостных измерений найдена концентрация электронов в приповерхностном слое пленки, которая хорошо соответствует концентрации легирующей примеси индия. Показано, что ВФХ МДП-систем имеют высокочастотный вид в широком диапазоне условий измерения, а произведение дифференциального сопротивления области пространственного заряда на площадь электрода в режиме сильной инверсии достигает значения 40 кОм×см2. Обнаружен эффект уменьшения емкости МДП-системы в режиме обогащения после освещения излучением с длиной волны 0,91 мкм, который можно объяснить изменением энергетической диаграммы резкого гетероперехода при изменении зарядового состояния дефектов под действием освещения.