SCI Библиотека

Настоящая книга печатается без изменений с 12-го издания (1931 г.) учебника геометрии, по которому долгое время велось преподавание в школе. Благодаря высокому педагогическому мастерству, с которым написана книга, она не потеряла своей значимости и в настоящее время. Книга предназначена не только для учителя.

В наше время книги А. П. Киселёва стали библиографической редкостью и неизвестны молодым учителям. А между тем дальнейшее совершенствование преподавания математики невозможно без личного знакомства каждого учителя с учебниками, некогда считавшимися эталонными. Именно по этой причине и предпринимается переиздание «Алгебры» А. П. Киселёва. Рекомендовано Научно-методическим советом по математике Министерства образования и науки Российской Федерации в качестве учебного пособия для общеобразовательных школ и лицеев.

В статье говорится об особенности проектирования импульсных ФПУ, связанной с необходимостью обеспечения квазиоптимальной фильтрации, обеспечивающей выделение сигнала из шумов фотодиода и усилителя. Показана одна из возможных простых реализаций квазиоптимального фильтра импульсного ФПУ на основе p–i–n- и лавинных InGaAs/InPфотодиодов. Представлены численный анализ зависимости пороговой чувствительности ФПУ на основе InGaAs/InP от длительности входного импульса излучения для различных диаметров фоточувствительного элемента для значений ёмкостей CФД и темновых токов IФД, а также оптимальные значения постоянной времени  двойного RC-фильтра, обеспечивающие приемлемые длительности переднего фронта tmax при длительности входного импульса 0,5 = 10 нс для всего типоразмерного ряда ФПУ. Построены графики зависимости пороговой чувствительности ФПУ от длительности сигнала и диаметра фоточувствительного элемента. Сформулированы требования к структуре всех типов ФПУ для максимального выделения импульсного сигнала из шума.

Юрий Георгиевич Алексеев родился 15 апреля 1926 г. в Ленинграде. В мае 1942 г. вместе с матерью эвакуирован из блокированного Ленинграда в Тбилиси. В ноябре 1943 г. призван на военную службу на Черноморский флот, прошел обучение в Бакинском военно-морском подготовительном училище и Каспийском высшем военно-морском училище, затем был переведен в Высшее военно-морское училище им. М. В. Фрунзе, которое окончил в 1949 г. В том же году поступил в экстернат исторического факультета ЛГУ. Служил на Балтийском флоте, в июне 1951 г. получил тяжелое ранение после подрыва корабля на оставшейся с войны мине. После длительного лечения в январе 1952 г. переведен на береговую службу и в ноябре 1953 г. в звании старшего лейтенанта уволен из вооруженных сил.

В статье рассмотрены эволюция и современное состояние BIM-технологии в строительной отрасли в контексте цифровой трансформации экономики. Проанализированы этапы становления BIM в России, от экспериментального внедрения 3D-моделирования до системной интеграции с искусственным интеллектом, Интернетом вещей и аддитивными технологиями. Определены ключевые тенденции цифровизации проектно-строительных процессов, переход от традиционных методов проектирования к комплексным интеллектуальным платформам управления жизненным циклом объектов. Особое внимание уделено экономическому и организационному эффекту применения BIM, сокращению сроков проектирования, снижению ошибок и себестоимости работ, росту производительности труда. Подчеркнута необходимость развития кадрового потенциала, стандартизации и технологического суверенитета для успешной реализации стратегии цифровой модернизации строительного комплекса России. Резюмируется формирование методологии проектирования, основанной на системности, интеллектуализации и междисциплинарной интеграции данных, обеспечивающих точность проектных решений, сокращение издержек и качественный уровень управляемости инвестиционно-строительным процессом.

Comparative analysis of splash of intrinsic photoconductivity of semiconductors with increasing concentration of recombination centers has been analyzed at low-level uniform and nonuniform illumination along of the electric field. Equation describing distribution of concentration of nonequilibrium charge carriers has been derived outside approximation of quasi-neutrality for arbitrary light beam profile along of the electric field. It follows from equation that due to photoinduced space charge, the splash of photoelectric gain in photoconductors under illumination perpendicular and along of the electric field should differ significantly at any conditions of recombination on current contacts. If photogeneration of charge carriers is nonuniform, then, unlike uniform photogeneration, the splash of photoelectric gain depends on the polarity of applied voltage. Note, that approximation of quasi-neutrality is insensitive to polarity. An analytical expression is derived for maximum value of electron photoelectric gain depended on concentration of recombination centers in the case of exponential photogeneration profile and sweep-out effect on contacts. Found relation between concentrations of nonequilibrium electrons and holes allows deriving an analytical expression for maximum value of hole photoelectric gain.