Научный архив: статьи

Обработка поверхности GaN (без травления материала) в высокочастотном индукционном (ВЧИ) разряде в газе BCl3 является перспективным методом изготовления омических контактов с низким сопротивлением для полевых транзисторов на основе GaN. В ряде случаев такая обработка в BCl3-плазме приводит к деградации омического контакта, так как радикалы BClx склонны к образованию полимеров типа BxCly. В настоящей работе рассмотрены механизмы воздействия BCl3 плазмы ВЧИ-разряда на поверхность GaN. С помощью численного моделирования плазмы определены соответствующие значения пороговых энергий ионов, при которых происходит удаление полимерной пленки BxCly и инициируется процесс травления GaN. Показано, что промежуточный режим плазменной обработки поверхности без осаждения полимера и без травления GaN реализуется в интервале энергий ионов 32÷60 эВ.

В работе изучалось воздействие плазменной обработки в среде азота на DC-характеристики HEMT-транзисторов. Показано, что падение токов насыщения транзистора в результате плазменной обработки высокоэнергетичными ионами может быть связано с образованием на поверхности GaN cap-слоя транзисторной структуры зарядовых рассеивающих центров, которые приводят к кулоновскому рассеянию носителей в 2DEG канале, что приводит к падению тока насыщения приборов.