Научный архив: статьи

В статье рассмотрены современные тенденции развития бизнеса с использованием цифровых вендинговых технологий, которые становятся реалиями современной жизни российских потребителей и во многом, при соответствующей поддержке, могут оказаться более эффективными по сравнению с маркетплейсами, торговыми и розничными сетями. Рынок вендинга в России по данным Минэкономразвития за прошлый год составил 1,2 млрд. долл., то есть 1% всех розничных продаж и будет расти. Для сравнения, в среднем на 20 человек в Америке и в Европе приходится один автомат, а в России - один автомат на 1 тыс. человек [13]. Для поддержки и их развития государство должно создавать все условия, так как они являются основой экономического роста, и решают вопросы потребности кадров в сфере продаж и услуг, положительно влияют на экономические результаты за счет роста производительности труда, замены продавцов специализированными роботами, цифровыми программными продуктами. Также это может помочь в решении проблем кадрового дефицита, сформировавшегося на российском рынке. Современные предприятия стремятся к максимизации прибыли бизнеса за счет снижения затрат и внедрения современных информационных вендинговых технологий и процессов. Большую роль играет цифровая среда и ее трансформация, которая предоставляет такие благоприятные возможности для их внедрения и развития. Перспективным и малоизученным в этом вопросе остаются вендинговые технологии, которые появились не только на зарубежном, но и российском рынках, что и определило актуальность данного исследования.

Экспериментально исследованы физические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом из кремния, легированного серой. Проделан теоретический расчет для предельной регистрируемой мощности излучения фотоприемника в газоразрядной ячейке с учетом параметров кремния, легированного серой. Экспериментально подтверждаются закономерности эффекта фотоэлектрического гистерезиса с фотоприемником из кремния, легированного серой, и обнаруженного ранее с фотоприемником из кремния, легированного платиной, в газоразрядной ячейке. На базе этих исследований создана высокочувствительная полупроводниковая фотографическая ионизационная камера (ПФИК).

В статье рассматривается реализация федерального проекта «Школа Минпросвещения России» в региональной образовательной политике через деятельность межмуниципальной проектной группы в рамках образовательной агломерации Челябинской области. Создание участниками проектной группы методических продуктов - визуализированных методических инструментов проектирования программы развития - строилось на проблемно ориентированном анализе текущего состояния по результатам самодиагностики в рамках основных направлений и ключевых условий на соответствие статусу «Школа Минпросвещения России». В качестве таких продуктов в тексте статьи описаны визуализированные методические инструменты проектирования программы развития, разработанные в результате совместной командной работы межмуниципальных проектных групп.

Исследовано влияние на характеристики термоэлементов нарушенного слоя, образующегося на поверхности образцов кристаллов (ветвей термоэлементов) твердых растворов Bi2Te2.7 Se0.3 и Bi0.5Sb1.5Te3 при их изготовлении методом электроискровой резки из слитков. Показано что этой слой значительно снижает термоэлектрическую эффективность образцов. Предложены способы снятия указанного нарушенного слоя с поверхности образца, приводящие к росту термоэлектрической эффективности образца (термоэлементов).

Представлены результаты исследования воздействия высокой температуры на свойства полупрозрачных слоев золота, используемых при изготовлении фотодиодов Шоттки. Показано влияние высокой температуры на удельное сопротивление и оптическое пропускание Auпленок толщиной 8÷21 нм. Также показано изменение структуры Au-пленки толщиной 10 нм при воздействии высокой температуры. На основании представленных данных делается вывод, что температура 300С является предельной температурой для фотодиодов Шоттки с золотым барьерным контактом, при превышении которой резко возрастает необратимая деградация фотодиодов.

Данная работа посвящена решению проблемы качества резки кремниевых приборных пластин толщиной 725 мкм на кристаллы с органическими светоизлучающими диодами (ОСИД или OLED – Organic light-emitting diode), которая является актуальной в производстве микродисплеев на основе ОСИД. В статье рассматриваются методы резки кремниевых приборных пластин на кристаллы с ОСИД и методы контроля качества кристаллов ОСИД. Работа направлена на внедрение высокоэффективного и высококачественного технологического процесса прецизионной лазерной резки кремниевых пластин на основе метода лазерного управляемого термораскалывания (ЛУТ) в производство микродисплеев на OLED. Представлены современные методы и приборы контроля качества, их применение позволяет повысить достоверность проверки при комплексных обследованиях ОСИД микродисплеев.

В статье рассматриваются всеподданнейшие отчеты оренбургских военных губернаторов и их роль в конструировании административной практики Российской империи. Актуальность выбранной темы определяется тем, что отчеты главных начальников Оренбургского края, ставшие важнейшим каналом коммуникации между центром и регионами, специально не изучались. Хронологические рамки работы включают 1830-е гг., когда составление отчетов стало устойчивой административной практикой. Источниковую базу исследования составили всеподданнейшие отчеты оренбургских военных губернаторов, отложившиеся в фондах центральных архивов, делопроизводственные материалы, многие из которых впервые вводятся в научный оборот. Авторы приходят к выводам, что всеподданнейшие отчеты оренбургских военных губернаторов отражали все предметы их ведения: гражданское, военно-пограничное управление. В отличие от ежегодных губернаторских отчетов, они носили «надведомственный» характер, представляли собой комплексный взгляд на состояние Оренбургского края с четкой фиксацией его специфики и особенностей. В силу этого отчеты военных губернаторов играли особенную роль в конструировании модели регионального управления

Активное накопление цифровых артефактов в современном искусстве способствует развитию творческого и исследовательского потенциала. Особенно это заметно в контексте интеграции искусственного интеллекта и художественного процесса. С целью изучения влияния новых технологий на традиционные художественные практики и концепции авторства проведен анализ работ французской художественной группы «Obvious Collective», использующей инновационные инструменты для создания своих произведений. Применение культурологического и философского анализа творческого направления позволило глубже понять концептуальные проблемы, возникающие на стыке технологий и искусства. Результаты исследования показывают, что использование искусственного интеллекта не только меняет роль художника, но и ставит под сомнение традиционные представления об оригинальности и авторстве произведений искусства.

В июне 2025 года в Институте архитектуры, строительства и дизайна ИРНИТУ защищён на отлично дипломный проект «Сохранение части исторического комплекса построек ИВВАИУ (Иркутский кадетский корпус) с приспособлением под многофункциональный культурно-образовательный центр патриотического воспитания молодежи». Разработчик-дипломник (студент группы РРб-20-1) Софья Микаилова.

Цель исследования - изучить феномен военно-политического дискурса как многоуровневой коммуникативной практики, интегрирующей элементы политической риторики и военной терминологии. Авторы уделяют внимание институциональной природе дискурса, его социокультурным особенностям, а также методам легитимации применения силы в международных отношениях. Работа основывается на структурно-семантическом анализе и дискурс-анализе, включая исследования терминологических единиц, метафорических конструкций и стратегий убеждения. Выявлены черты военно-политического дискурса: поляризация образов «мы» и «они», драматизация угрозы, акцент на исторической преемственности, использование эмоциональных и символических аргументов.

Проведено исследование влияния параметров мезаструктуры на дефектность матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия на область спектра 3÷5 мкм формата 320256 элементов с шагом 30 мкм. Получены зависимости одноточечной дефектности и «стойкости» (стабильности токов p–n-переходов в диапазоне рабочих обратных напряжений смещения) от скорости травления антимонида индия, глубины мезаструктур и расстояния между ними в МФЧЭ (матричных фоточувствительных элементах). Определены оптимальные величины указанных параметров мезаструктур. Определен оптимальный угол наклона стенок мезаструктуры – не более 38 градусов. Количество единичных дефектных фотодиодов составило 0,1–0,6 %.