Получение высококачественных монокристаллов Cd(1-X)ZnXTe по методу Давыдова–Маркова для изготовления подложек при эпитаксиальном выращивании Hg(1-X)CdXTe (2024)
Для получения фоточувствительного материала HgCdTe методом молекулярно-лучевой эпитаксии предпочтительно использовать изотипные подложки CdZnTe. Одним из методов выращивания таких монокристаллов и подложек является метод Давыдова–Маркова. Кристаллы CdZnTe, выращенных этим методом, характеризуются высокой однородностью параметров и практически полностью могут быть использованы для изготовления устройств и подложек. В рамках работы была показана возможность получения таких монокристаллов CdZnTe и перспективы развития этого направления.
Издание:
УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ
Выпуск:
том 12 № 4 (2024)