SCI Библиотека

Исследована структура слоев пористого кремния, сформированных при различных плотностях тока и продолжительностях анодной электрохимической обработки. Произведен статистический анализ распределения по размерам (диаметрам пор и толщине скелета) элементов матрицы пористого кремния, полученного в различных режимах анодирования. Разработана методика удаления приповерхностного слоя пористого кремния, вызывающего трудности при электрохимическом заполнении каналов пор металлами, и оценен эффект данной операции на структурные параметры внутренних областей пористого кремния. Даны рекомендации касательно применения слоев пористого кремния в составе гетероэпитаксиальных структур и нанокомпозитов на основе пористого кремния и германия, позволяющих обеспечить возможность реализации более оптимальных подходов к синтезу высокоэффективных термоэлектрических устройств.

В настоящей работе исследовано изменение спектральных характеристик и проводящих свойств тонких пленок фуллерена, осажденных из растворов ароматических и неароматических растворителей. Наглядно показано, что влияние природы растворителя существенно влияет на морфологию поверхности пленки. Прямые спектры видимого диапазона пленочных структур фуллерена С60 продемонстрировали максимумы коэффициента поглощения в диапазоне 330–500 нм. Расчёт оптической ширины запрещенной зоны явно демонстрирует возможность модернизации атомарной структуры плёнок посредством использования различных типов растворителей. Вольт-амперные характеристики показали увеличение кинетики заряда при облучении пленок фуллерена, осажденных посредством дихлорметана и тетрахлорметана. Дополнительно проведены исследования влияния частоты переменного тока на про-водящие параметры пленочных структур в диапазоне частот 1–100 кГц.

Методы фотоэлектрохимического травления и распылительного пиролиза были применены при изготовлении солнечного элемента PSi-CdSe. Первый метод был использован при изготовлении пористого кремния со временем травления 10 мин и током травления 15 мА/см2, в то время как второй метод был использован для осаждения тонкой пленки CdSe на пористый кремний при температуре подложки 100 °C с расстоянием между соплами 25 см, 20 распылениями и давлением 7,5 кг/см2. Оптические свойства пленок CdSe показали пики спектра поглощения наночастиц CdSe на длинах волн 460 и 660 нм с энергетической щелью 2,5 эВ. Исследована структура пленки CdSe, где изображения сканирующего электронного микроскопа SEM показали, что пленка CdSe является кристаллической со средним размером зерна около 49,63 нм, что согласуется с результатами анализа спектров рентгеновской дифракции (55,67 нм). Вольт-амперные характеристики перехода аналогичны характеристикам идеального диода и солнечного элемента с током короткого замыкания (2,43 мА/см2), напряжением холостого хода (0,34 В) и коэффициентом заполнения (0,603).

Проведено исследование состояния катода со вставкой из чистого и лантанированного вольфрама при добавлении к плазмообразующему газу аргону пропан-бутана для генератора низкотемпературной плазмы постоянного тока с вихревой стабилизацией дуги и расширяющимся каналом газоразрядного тракта. При малой добавке пропана
(1 %) в аргоновой среде, происходит осаждение углерода на границе раздела между вольфрамом и корпусом катода из меди со скоростью  0,2 мм/мин. На аноде осаждение при данном расходе не обнаружено.

Получены и проанализированы спектры кристаллической решетки политетрафторэтилена при температурах близких к твердотельному фазовому переходу (ФП) в этом частично кристаллическом полимере. Повышенная чувствительность спектральных параметров полос внешних трансляционных и вращательных мод этих спектров к кристаллическим эффектам позволила связать ФП при 292К (190С) не только со структурной реорганизацией, но и с последующим ориентационным разупорядочением кристаллической решетки при 304К.