Результаты поиска: 5 док. (сбросить фильтры)
Статья: ИНДУКЦИОННЫЙ АЗОТНЫЙ ЛАЗЕР С ИМПУЛЬСНОЙ МОЩНОСТЬЮ 1 МВТ
Впервые при накачке азота импульсным индукционным разрядом получена энергия генерации 10 мДж с импульсной мощностью свыше 1 МВт. Длительность импульсов генерации на полувысоте созданного индукционного азотного лазера составляла (8,5 ± 0,5) нс. Лазерная генерация была получена на двух длинах волн - 337,1 и 357,7 нм. Пучок генерации в поперечном сечении имел форму кольца диаметром ~ 33 мм и шириной ~ 2 мм.
Статья: ИК XEI-ЛАЗЕР С НАКАЧКОЙ ИМПУЛЬСНЫМ ИНДУКЦИОННЫМ ЦИЛИНДРИЧЕСКИМ РАЗРЯДОМ
В работе описан созданный ИК-лазер с накачкой импульсным индукционным цилиндрическим разрядом, генерирующий в области 900-2050 нм на переходах атомов Xe I. В качестве активной среды использовался ксенон и его смеси с гелием и аргоном. Проведены экспериментальные исследования влияния состава активной газовой среды на интенсивность излучения атомов Xe I. Спектр генерации состоял из трех линий с длинами волн 904,5; 1733 и 2026 нм. Соотношение интенсивностей сильно зависело от состава активной среды. Длительность оптических импульсов излучения достигала (8 ± 1) нс на полувысоте.
Статья: ИМПУЛЬСНЫЙ ИНДУКЦИОННЫЙ ИК ARI-ЛАЗЕР
Представлены результаты экспериментальных исследований влияния условий накачки на спектральные и временные характеристики излучения ИК Ar I-лазера при возбуждении активной среды импульсным индукционным продольным разрядом. Получена лазерная генерация на переходах нейтральных атомов аргона на длинах волн 1213, 1240, 1270, 1694, 1791 нм в чистом аргоне и в его двухкомпонентных смесях с гелием и неоном. Длительность оптических импульсов на полувысоте составляла (5 ± 1) нс. Энергия излучения достигала 0,1 мДж.
Статья: ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ГРУППОВОЙ СКОРОСТИ ПОВЕРХНОСТНЫХ ПОЛЯРИТОНОВ В ОДНООСНОМ КРИСТАЛЛЕ ТИПА ВЮРЦИТА
Обоснование. Поверхностные поляритоны привлекают внимание исследователей и инженеров своими уникальными свойствами и перспективными приложениями в области микро- и наноэлектроники. Среди таких применений могут быть устройства типа транзистора или даже лазера на поляритонах, о чем сообщалось в научной литературе.
Цель. В работе проводится анализ условий возбуждения поверхностных поляритонов в одноосном кристалле типа вюрцита. Проводится анализ частотной зависимости групповой скорости поверхностных поляритонов.
Методы. Дисперсионное уравнение для поверхностных поляритонов в анизотропном кристалле типа вюрцита находится аналитически путем решения уравнений Максвелла и требования выполнимости граничных условий для экспоненциально убывающих от границы электромагнитных волн.
Результаты. В качестве объекта анализа выбран кристалл нитрида алюминия AlN. Найдены возможные частоты поверхностных поляритонов, и показано, что всем условиям существования поверхностных поляритонов удовлетворяет только частота Ω_1 = 844,84 см^-1. Показано, что в области существования поверхностного поляритона наблюдается возрастание как постоянных затухания, так и параметров распространения поверхностных поляритонов: групповая скорость поверхностного поляритона уменьшается с ростом частоты. При достижении частоты значения Ω_1 - частоты поверхностного поляритона - групповая скорость обращается в ноль.
Заключение. Найденная убывающая частотная зависимость групповой скорости поверхностного поляритона может быть использована в замедляющих устройствах на базе поляритонов.
Статья: ОТРАЖЕНИЕ СВЕТА КРУГОВОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ ОТ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРИСТАЛЛА CDS ВБЛИЗИ ЭКСИТОННОГО РЕЗОНАНСА С УЧЕТОМ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ ДИСПЕРСИИ
Обоснование. Исследование материалов с помощью поляризованного излучения позволяет получать дополнительную информацию о свойствах материала благодаря векторному характеру электромагнитного поля. В этой связи наибольшее применение получил эллипсометрический метод анализа оптических свойств материалов. Использование света круговой поляризации несет дополнительную информацию из-за изменения эллипса поляризации при отражении.
Цель. В работе приводятся результаты расчетов частотных и угловых спектров эллипсометрических параметров отраженного света для полупроводникового кристалла CdS вблизи экситонного резонанса с учетом пространственной дисперсии.
Методы. Пространственная дисперсия приводит к возникновению дополнительных волн в среде, что требует использования дополнительных граничных условий для однозначного решения задачи об отражении света от такой среды. Из уравнений Максвелла выводится дисперсионное уравнение, которое в случае p-поляризованного излучения приводит к существованию трех волн, одна из которых - продольная. С учетом полной системы граничных условий проводится решение задачи об отражении и прохождении.
Результаты. Показано, что эллипсометрические параметры обладают высокой чувствительностью к характеристикам среды с пространственной дисперсией и могут служить для интерпретации экспериментальных данных. Найдено, что при отражении света круговой поляризации от среды с пространственной дисперсией характер эллипса поляризации может меняться от левой круговой до правой эллиптической поляризации, что может служить дополнительным источником информации о полупроводниковом кристалле вблизи экситонного резонанса.
Заключение. Использование эллипсометрического метода совместно с эллиптически поляризованным излучением дает возможность более детального изучения сред с пространственной дисперсией.