SCI Библиотека

обзор мирового и российского рынков галлия и индия – исходных материалов для синтеза
полупроводников современной СВЧ-техники (GaAs, InP).

Аннотация. Рассмотрено текущее состояние и перспективы развития мирового рынка
полупроводникового поликристаллического кремния (ПКК). Отмечено, что после долгого
периода низких цен на ПКК, что препятствовало росту инвестиций в отрасль, наступает пе-
риод выравнивания цен до уровня инвестиционной привлекательности. Приведены оценки
баланса спроса и предложения до 2024 г. и в долгосрочной перспективе. Проанализированы
основные технологические схемы получения ПКК в современных условиях. Отмечено, что
некоторый профицит рынка ПКК сохранится в ближайшей и среднесрочной перспективе.
Однако провозглашенный всеми правительствами «зеленый поворот» в энергетике, развитие
локальных рынков и восстановление цен до инвестиционно-привлекательного уровня, спо-
собствовали появлению новых проектов заводов по производству ПКК. Важным для России
является вопрос выбора технологических особенностей реализации метода Сименс-ТХС.
Особенность ситуации в России — это наличии нескольких крайне важных рынков (солнеч-
ной энергетики, микроэлектроники, силовой электроники, фотоники, волоконной оптики),
которые являются по мировым меркам незначительными и в равной мере испытывающими
нехватку собственного сырья.

Статья написана по материалам доклада авторов на научной конференции «Электронная
компонентная база и микроэлектронные модули» Российского форума «Микроэлектроника 2022» (предконференция № 2 «Электронная компонентная база и радиоэлектронные системы»).

Настоящая статья написана по материалам доклада авторов на научной конференции «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Российского форума
«Микроэлектроника 2022» (предконференция No 2 «Электронная компонентная
база и радиоэлектронные системы»)

his document contains information proprietary to the Canadian Space Agency (CSA) or to a third party
to which CSA may have a legal obligation to protect such information from unauthorized disclosure, use, or
duplication. Any disclosure, use, or duplication of this document or of any of the information contained herein for
other than the specific purpose for wh

ɋɩɪɨɟɤɬɢɪɨɜɚɧɚ ɦɢɤɪɨɫɯɟɦɚ ɫɱɢɬɵɜɚɧɢɹ ɞɥɹ ɦɚɬɪɢɰɵ ɂɄɮɨɬɨɞɢɨɞɨɜ ɧɚ ɨɫɧɨɜɟ ɚɧ-
ɬɢɦɨɧɢɞɚ ɢɧɞɢɹ ɮɨɪɦɚɬɚ 640
u512 ɫ ɪɚɡɦɟɪɨɦ ɩɢɤɫɟɥɹ 24
u24 ɦɤɦ. Ɍɨɩɨɥɨɝɢɹ ɤɪɢɫɬɚɥɥɚ
ɪɚɡɪɚɛɨɬɚɧɚɞɥɹɄɆɈɉɬɟɯɧɨɥɨɝɢɢɫɩɪɨɟɤɬɧɵɦɢɧɨɪɦɚɦɢ 0,8 ɦɤɦ, ɨɞɧɢɦɭɪɨɜɧɟɦɩɨɥɢ-
ɤɪɟɦɧɢɹɢɞɜɭɦɹɭɪɨɜɧɹɦɢɦɟɬɚɥɥɚ

Установка «КРАУДИОН-ИПО-11/2» предназначена для ионно-
плазменной обработки наружных поверхностей и внутренних ка-
налов корпусов из ситалла, применяемых в производстве ЭВП.
Установка «КРАУДИОН-ИПО-11/2» обеспечивает проведение
следующих технологических операций:

• загрузка изделия в камеру ионно-плазменной обработки;
• безмасляная высоковакуумная откачка вакуумной технологиче-
  ской камеры;
• напуск технологического газа/смеси газов;
• инициирование плазменного разряда и проведение техноло-
  гического процесса ионно-плазменной обработки наружных по-
  верхностей/внутренних каналов изделия в инертных газах и их
  смесях с кислородом;
• разгерметизация камеры с напуском инертного газа и выгрузка
  изделия