Изучены процессы токопрохождения в диодных структурах pSi-nSi1-xSnx (0 x 0,04). Из полученных результатов видно, что в исследованных образцах, при малых напряжениях ток подчиняется закону Ома. А при дальнейшем увеличении напряжения начинается рост тока по нелинейному закону. На основе анализа зависимости установлено, что нелинейность обусловлена полевым эффектом Пула-Френкеля. На основе выполненных анализов полученных результатов обоснована перспективность использования твердых растворов Si1-xSnx (0 x 0,04), выращенных на кремниевых подложках, в качестве активного материала в преобразователях тепловой энергии в электрическую энергию на основе термовольтаического эффекта.
Пособие содержит учебно-тренировочные тесты, составленных с учетом реальных вариантов вступительных испытаний, проводимых ВолгГТУ самостоятельно, а также некоторые сведения из физики, знание которых позволит избежать ошибок, обычно допускаемых учащимися при решении задач. Предназначено для абитуриентов, учащихся выпускных классов школ, лицеев, гимназий, колледжей, слушателей факультета довузовской подготовки ВолгГТУ.
Содержит информацию об основных приборах, используемых в лабораторном практикуме, способах измерения величин; также обсуждены основы обработки данных, расчета погрешностей и построения графиков. Предназначено для студентов очно-заочной и заочной форм обучения. Может быть полезно студентам, обучающимся на других направлениях и специальностях.
В учебном пособии изложены физические основы теории оптических изображений, законы геометрической оптики, свойства зеркальных поверхностей, особенности преломления света на сферической поверхности, центрированные оптические системы, назначение и устройство оптических приборов. Содержание учебного пособия соответствует требованиям образовательного стандарта и программы курса «Физические принципы получения оптических изображений» для инженерно-технических специальностей высших учебных заведений. Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по техническим направлениям подготовки и специальностям обучения.
Пособие рекомендуется как основное, формирующее навыки научного стиля речи для иностранных учащихся, обучающихся по техническому профилю. Структурно пособие включает учебные тексты, задания по разделу физики «Механика», а также упражнения лексического и коммуникативного характера. Рассчитано на начальный и средний этап обучения.
Приведены результаты экспериментальных исследований частотных и температурных зависимостей электропроводности монокристаллов MnIn2Se4 в переменном электрическом поле. B MnIn2Se4 изменение электропроводности в зависимости от частоты можно объяснить следующим образом: в монокристаллах существуют кластеры, содержащие локализованные состояния с близкой энергией, и перескок электронов осуществляется между ними. Из температурных зависимостей проводимости определены энергии активации. Проводимость в этих монокристаллах характеризуется зонно-прыжковым механизмом.
Рассмотрено влияние амплитуды электрического потенциала смещения на структурные и функциональные свойства стали 40х13 при высокочастотном азотировании в индуктивно-связанной плазме смеси аргона, водорода и азота. В результате азотирования формируется трёхслойная структура в приповерхностном слое, кристаллическая структура которого зависит от прикладываемого к нему потенциала смещения. Толщина азотируемого слоя и шероховатость поверхности нелинейно зависят от амплитуды потенциала вследствие изменения интенсивности распыления поверхности ионами из плазмы. Износостойкость в условиях сухого трения и коррозионная стойкость стали 40х13 в растворе 3,5 масс. % NaCl повышаются по мере увеличения амплитуды потенциала смещения от -20 до -80 В, о чём свидетельствует снижение скорости износа от 5,010-4 до 4,810-7 мм3/(мН) и плотности тока коррозии от 1,610-9 до 1,710-10 А/см2, соответственно. Полученные результаты могут быть использованы для разработки дуплексной технологии обработки материалов.
Предложен метод определения мощности импульса или его фрагмента, основанный на понятии эффективного импульса, эффективной мощности и эффективного времени. Данная методика не зависит от формы и длительности осциллограммы импульса, а использует только вычисление энергии и определение координат центра тяжести квадрата амплитуды импульса. Это позволяет стандартизировать процедуру цифровой обработки сигнала для определения мощности независимо от длительности и формы импульса и спектрального состава.
Содержит учебно-методическую информацию, необходимую для выполнения лабораторного практикума курса «Физические основы измерений», преподаваемого на кафедре «Физика» Волгоградского государственного технического университета. Наряду с описанием методики и порядка выполнения лабораторных работ, рассматриваются вопросы обработки результатов измерений физических величин, физического принципа действия, конструкции и эксплуатации различных видов измерительного оборудования. Предназначено студентам, обучающимся по бакалаврским программам направления 15.03.04 «Автоматизация технологических процессов и производств», и может быть полезно магистрам, аспирантам и преподавателям технических вузов.
Для достижения высоких технологические показателей качества различных оптических деталей нового поколения, необходим не только современный подход к методам и средствам обработки деталей, но и реализация перспективных высокоточных бесконтактных методов диагностики. Особое внимание в единой технологической цепочке занимают стадии глубокой полировки, когда высотные статистические параметры профилей достигают нано- и субнанометровых уровней. Для диагностики высотных статистических параметров субнанометрового уровня на сегодняшний день применяются различные классы оптико-электронных приборов и систем. Наибольший интерес в задачах высокоточного аттестационного контроля представляют такие перспективные приборы и системы, как: динамические интерферометры, а также приборы, позволяющие оценивать среднеквадратическое значение поверхностных неоднородностей субнанометрового уровня по данным анализа индикатрисы рассеянного лазерного излучения. В мировой практике методы, основанные на анализе индикатрис рассеянного лазерного излучения, классифицируются на [1–7]: методы полного интегрального рассеяния (TIS – Total Integrated Scattering), методы определения функции распределения коэффициента отражения по двум угловым координатам (метод определения характеристики BRDF – Bidirectional Reflectance Distribution Func-tion), методы дифференциального рассеяния (ARS – Angle-Resolved Scattering). Анализ влияния ограничительных факторов в методе дифференциального рассеяния позволяет определить его систематическую погрешность и повысить точность измерения.