SCI Библиотека

Разработана методика вычисления толщин эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs, применяемых в технологии изготовления матричных фотоприемных устройств с квантоворазмерной активной областью (QWIP), чувствительных в спектральном диапазоне 8–10 мкм. Реализована имитационная модель гетероперехода AlGaAs-GaAs со слоями, имеющими разные степени легирования, для использования в методике электрохимического вольт-фарадного профилирования (ECV). Проведен расчет границы гетероперехода для структур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, из экспериментально полученных профилей концентрации носителей заряда по толщине структуры. Полученные с помощью данной методики на основе ECVпрофилирования значения концентраций носителей заряда и толщин эпитаксиальных слоев позволили оптимизировать условия роста гетероэпитаксиальных структур с множественными квантовыми ямами для QWIP-фотоприемников.

Рассмотрена концепция построения фоточувствительной униполярной nBn-структуры для фотоприемного устройства (ФПУ) средневолнового ИК-диапазона спектра на основе CdHgTe. Представлена архитектура и рассчитаны ее характеристические параметры: смещение энергии валентной зоны, напряжение плоских зон, поверхностный потенциал  s на границе коллектор/барьер; плотность темнового тока, которая при рабочих температурах Т = 110–160 К составила Jdark = 10-10–10-6 А/см2. Показано, что nBn-архитектура на основе CdHgTe может использоваться для построения ФПУ нового типа с повышенными характеристиками.

Проведен анализ гистограммы темновых токов матриц длинноволновых фотодиодов, изготовленных из гетероэпитаксикальных структур (ГС) Cd0,22Hg0,78Te/CdTe/ZnTe/ GaAs(301). Максимум гистограммы соответствует диффузионным токам для номинальных фотоэлектрических параметров CdHgTe. Имеются единичные фотодиоды с темновыми токами, на порядки превышающими диффузионный ток. Вероятность их появления связывается с V-дефектами структуры ГС, плотность которых составляет величину порядка 103 см-2 и которые представляют собой области нарушеннной структуры CdHgTe с избытком теллура. Имеется достаточно большое количество диодов (десятки процентов) с повышенными темновыми токами. Исследование C-Vхарактеристик МДП на ГС показывает наличие положительного заряда, неоднородно распределенного по поверхности и достаточного для инверсии типа проводимости в отдельных областях. Образование шунтирующего слоя n-типа на поверхности должно приводить к увеличению темновых токов фотодиодов, попадающих в такие области.

В данной работе изучен процесс рекомбинации носителей через мелкие примесные центры бора в кремнии при низких температурах. Основное внимание было уделено теоретическому объяснению «эмпирических» температурных зависимостей времени жизни  (T) носителей в интервале температур (1,74,2) K при концентрациях легирующей примеси nB  1014 см-3 и компенсацией  10 % (nD + nA  1013 см-3). Довольно точно удалось установить, что мелкий возбужденный уровень с энергией связи 5 мэВ (3s-состояние) является почти резонансным. Получены приближенные формулы для коэффициента резонансного захвата.

Проведен анализ электронно-оптических преобразователей (ЭОП). Отмечена тенденция, направленная на расширение их рабочего спектрального диапазона в область инфракрасного излучения и повышение чувствительности. Расширение длинноволновой границы спектральной чувствительности ЭОП с одновременным повышением чувствительности возможно с применением автоэмиссионных катодов, обладающих уникальными эмиссионными характеристиками. В статье предлагается ЭОП с автоэмиссионным фотокатодом. Разработана конструкция такого преобразователя, рассмотрены режимы работы и проведены оценки чувствительности и спектрального диапазона. Отмечается, что разработка и создание ЭОП с автоэмиссионными фотокатодами, работающими в инфракрасном диапазоне, является важным этапом в развитии инфракрасной техники.

Работа посвящена исследованию износостойкости (эрозии) материала электродов в плазмотронах постоянного и переменного тока. Ресурс работы электродов определяется многими факторами, такими как состав материала электрода, конструкция электродуговой камеры, температура тела электрода, температура в зоне привязки электрической дуги и способ ее перемещения, характер химических реакций между плазмообразующим газом и материалом электрода. При этом основными факторами, влияющими на эрозионный унос материала, является величина тока в дуге, характер привязки к электроду (катодное или анодное пятно), а также организация газового потока в зоне пятна. При проведении экспериментов использовались плазмотроны постоянного и переменного тока мощностью до 50 кВт, для изготовления электродов использовались медь, нержавеющая сталь и композитный материал состава железо– медь. В работе приведены характерные значения и зависимости величин удельной эрозии плазмотронов различных конструкций в широком диапазоне рабочих параметров.

В статье даётся анализ нескольких стихотворений И. А. Бунина, в художественной системе которых используется иранская мифология. Показано, как культура Ирана, её мифологические образы отчётливо вписываются в пласт восточных образов поэта, что говорит об органическом вхождении иранской мифологии в художественную концепцию земного мира И. А. Бунина, выраженную в дихотомии Единого (мир как гармония – мир как дисгармония).

В статье рассматривается цикл стихов «Европа — Азия», в котором органично слились две культуры: восточная и западная; афористичность мышления, мудрость Востока сочетается с лучшими традициями европейской литературы. В цикле «Европа — Азия» воплощена идея неразрывной связи Европы и Азии, синтеза гармоничности Востока и рационалистичности Запада, единства Башкирии и России. Цикл «Европа — Азия» — это признание поэта в любви к своей «малой» (Башкирии) и «большой» Родине (России), свидетельство его гражданственности и патриотизма. Идею любви к родине, ее многонациональной культуре и всечеловеческому единству, синтеза восточной и западной цивилизаций воплощали в своем творчестве и многие русские писатели, в том числе И. А. Бунин. Идея синтеза Востока и Запада, характерная для русской и национальных литератур, выходит далеко за пределы чисто национальной ментальности.

В статье говорится о мировосприятии И. А. Бунина, его путешествиях на Восток, рассказе «Третий класс». Бунина интересовало все, что он видел во время своих странствий по городам мира: природа, запахи, люди. Писатель любил общаться, изучать своих собеседников, узнавать о них и от них интересные факты о жизни в прошлом и настоящем. Авторы показывают, как в рассказе «Третий класс» писатель обосновывает свою точку зрения на социальную иерархию людей, их отношение к святым местам. Непротивленческий характер, толерантность представителя арабского народа рассматривается на примере стихотворения «Потомки пророка».

В статье рассматривается роль языка художественной литературы, изобразительного искусства, музыки в межкультурном взаимодействии людей на различных этапах истории. На материале художественных произведений исследуется концепция интеракции. С помощью страноведческой информации в художественных текстах показываются возможные пути изучения культурологических проблем, поднимаемых в сфере литературоведения, риторики, мировой художественной культуре, философии, истории, межкультурной коммуникации. Упоминаются древнегреческие авторы. При водятся примеры из «Повести временных лет», записей о путешествиях Афанасия Никитина. Цитируются тексты И. А. Бунина, С. Я. Маршака и других авторов. Говорится о произведениях К. С. Аксакова, А. В. Амфитеатрова, Н. В. Басаргина, А. А. Блока, А. П. Будберга, П. А. Валуева, П. А. Валуева, З. А. Вол конской, В. А. Гиляровского и др.