Исследован процесс коммутации вакуумного искрового разрядника при воздействии импульса лазерного излучения наносекундной длительности на мишень, размещаемую на катоде или за пределами короткого межэлектродного промежутка. Регистрировалось время срабатывания разрядника при различных значениях приложенного напряжения и давления остаточного газа. На основе полученных экспериментальных данных выдвинуто предположение о том, что первоначально проводящая среда возникает в результате ионизации остаточного газа УФ-излучением лазерной плазмы и эмитируемыми из нее быстрыми электронами.
Ранее были выполнены измерения температуры газа на оси разряда с жидкими не металлическими электродами (РЖНМЭ) с помощью теневого фонового метода (ТФМ). Исследовался разряд в конфигурации жидкий катод и металлический анод. Из-за особенностей оптической схемы не удалось получить хорошее пространственное разрешение, так как исследуемый объект находится не в фокусе фоторегистрирующего устройства. В результате радиальный ход температуры искажен аппаратной функцией объектива. Для восстановления исходного распределения необходимо решить обратную задачу. В данной работе предложен метод восстановления радиального хода температуры. Вначале на основе модельного эксперимента выполнено сравнение двух методов решения обратной задачи свертки. По результатам сравнения выбран метод дающий лучший результат. Выбранный метод использован для обработки экспериментальных данных с целью восстановления радиального хода температуры
Дан обзор новых наиболее интересных результатов, представленных на LII Международной Звенигородской конференции по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, состоявшейся с 17 по 21 марта 2025 года в г. Звенигород Московской области. Проведен анализ достижений в основных направлениях развития исследований в области физики плазмы в России и их сравнение с работами за рубежом.
Показан достаточно высокий уровень стойкости к -нейтронному излучению активных элементов оптоэлектронных пар: светоизлучающих структур с массивом Ge(Si) наноостровков и фотодиодов с эпитаксиальными слоями Ge/Si. Теоретические оценки доли наноостровков Ge(Si), теряющих свойства люминесценции при генерации радиационных дефектов, в первом приближении совпадают с экспериментальными данными по снижению интенсивности фото- и электролюминесценции облученных структур. Выполнение условия совместимости параметров светоизлучающих и фотоприемных структур оптоэлектронных пар обеспечивает регистрацию оптопарного эффекта при высоких уровнях воздействий.
Проведен анализ возможных факторов искажения изображения фотошаблона в слое фоторезиста в процессах контактной фотолитографии при изготовлении матричных ИК фотоприёмников, что приводит к неодинаковости геометрических размеров элементов фотоприемных матриц и как следствие, неоднородности по пикселям чувствительности матричных ИК-фотоприёмников. Исследованы особенности формирования фоточувствительных элементов матриц форматов 384 288 с шагом 25 мкм, 320256 с шагом 30 мкм и 640 512 с шагом 15 мкм на основе гетероэпитаксиальных слоев GaAs/AlGaAs и xBn-InGaAs, выращенных на подложках из арсенида галлия и фосфида индия соответственно. Исследовано влияние на неоднородность чувствительности неплоскостности поверхности гетероэпитаксиальных структур полупроводниковых пластин и дефектов на поверхности пластин.
В обзоре представлен анализ микро- и нанотвердости кристаллов и эпитаксиальных структур на основе тройных растворов полупроводникового материала кадмий-ртуть-теллур (КРТ, HgCdTe) и их влияние на надежность фотоприемных устройств (ФПУ), проведена оценка коэффициента твердости КРТ от состава и температуры. Механические свойства кристаллов и эпитаксиальных структур КРТ рассматриваются при точечном воздействии методами сжатия, изгиба и пластической деформации. Представлены модельные зависимости энергии активации: от нагрузочного напряжения и от температуры для двух составов КРТ (Hg0,8 Cd0,2 Te и Hg0,34Cd 0,66 Te). Теоретические и экспериментальные исследования позволили установить следующие значения энергии активации пластической деформации для материала КРТ: 1,1 эВ для Hg 0,8 Cd0,2 Te и 1,6 эВ для Hg 0,34 Cd0,66 Te
Исследовано изменение спектрально-люминесцентных свойств ряда замещенных фенолов под действием излучения эксиламп. Получены кинетические закономерности фотоиндуцированной деградации в воде замещенных фенола: 2,6-ди(гидроксиметил)-4- метилфенола и 4-цианофенола. Рассчитаны квантовые выходы фотопревращения исследуемых соединений. Показано, что для 2,6-ди(гидроксиметил)-4-метилфенола наибольшая фотодеградация наблюдается при использовании XeBr эксилампы. При прямом фотолизе не получено заметной деградации 4-цианофенола
Новая книга серии “Жизнь замечательных людей” посвящена дважды Герою Социалистического Труда Б. Г. Музрукову - выдающемуся организатору оборонной промышленности и науки, одному из создателей атомной отрасли России. Вокруг имени этого человека еще при жизни ходили легенды, но до последнего времени его биография была скрыта пеленой секретности и мало известна широкой общественности. Возглавив в 35 лет Уральский завод тяжелого машиностроения, он вместе с героическим коллективом этого предприятия вынес все тяготы Великой Отечественной войны, сумев в кратчайшие сроки перестроить производство на военный лад, организовать выпуск для фронта знаменитых танков KB, T-34, самоходных артиллерийских установок и другого грозного оружия. В послевоенные годы Борис Глебович возглавлял предприятия ядерной промышленности, внеся огромный вклад в создание первой атомной бомбы и образцов оружия, явившихся основой современного ядерного щита нашей Родины.
В год 60-летия Великой Победы биография Музрукова по праву занимает видное место в ряду выдающихся представителей поколения победителей. Книга рассчитана на широкий круг читателей.
В настоящую, вторую книгу, избранных научных трудов выдающегося физика XX в. Эрнеста Резерфорда, вошли работы по окончательному выяснению природы а-частиц, а также работы по строению и искусственному превращению элементов. Кроме того, приведены тексты ряда выступлений Резерфорда, носящих обзорный характер. Издание приурочено к 100-летию со дня рождения Э. Резерфорда, так же как и первая книга: Э. Резерфорд. «Избранные научные труды. Радиоактивность». Почти все вошедшие в издание работы на русском языке публикуются впервые. Книга рассчитана на специалистов-физиков, преподавателей и всех лиц, интересующихся путями развития и историей науки.
Жизнь Альберта Эйнштейна перевернулась в пять лет, когда он открыл для себя свойства компаса, а 20 лет спустя он изменил представления людей о Вселенной. Он получил Нобелевскую премию — но не за теорию относительности, а за дерзкую гипотезу о корпускулярной природе света. Убежденный пацифист и гуманист, он не участвовал в создании атомной бомбы, но обратился с просьбой к президенту Рузвельту финансировать исследования по расщеплению урана в США, чтобы опередить нацистскую Германию в разработке рокового оружия. Он горячо поддерживал движение сионизма, но отклонил предложение стать президентом Израиля.
Эйнштейн был любящим отцом, обожавшим своих сыновей, но навеки скрыл тайну о своей дочери. Он умел принимать нестандартные жизненные решения, обладал способностью к научному прозрению при непревзойденной игре воображения — это сделало его великим.