Повышение чувствительности кремниевых p–i–n-фотодиодов к излучению с длиной волны 1,06 мкм (2018)
Выпуск:
№5 (2018)
Исследованы возможности повышения уровня чувствительности p–i–n-фотодиодов к излучению с длиной волны λ = 1,06 мкм. Проведён расчёт двухслойного просветляющего покрытия, состоящего из плёнок SiO2 и Si3N4. Представлены результаты эксперимента, проведённого на основании данного расчёта.
Расчет однослойных диэлектрических покрытий для просветления в заданном интервале углов падения (2021)
Выпуск:
№ 6 (2021)
Сформулирована задача просветления однослойной магнитодиэлектрической системы при прохождении через нее плоской электромагнитной волны в интервале углов падения и получены необходимые и достаточные условия существования решений этой задачи.