SciNetwork
  • Библиотека 506
  • Журналы 21
  • Организации 7
    • Научно-исследовательские
    • Образовательные
    • Издательства
    • Библиотеки
    • Репозитории
  • Конференции
  • Блоги
  • Сообщество
    • Поиск людей
    • Группы
    • Форум
    • Мат. формулы
Вход
Написать
Добавить в контакты
Исследовательские группы
XXVII Конференция Орион
Фотографии
1 фото

Яковлева Наталья Ивановна

Автор, Докладчик конференций, Участник исследовательских групп
Город
Москва
Место работы
АО "НПО "ОРИОН"
Должность: Главный научный сотрудник
Учёная степень
Доктор наук
SciID
0000000161
SPIN-код
1077-9113
ОНП
темновой ток, dark current, матрица фоточувствительных элементов (МФЧЭ), MWIR, FPA, Focal Plane Array (FPA)
Заходила
показать
Место работы
АО "НПО "ОРИОН"
Должность: Главный научный сотрудник
ОНП
темновой ток, dark current, матрица фоточувствительных элементов (МФЧЭ), MWIR, FPA, Focal Plane Array (FPA)
24
работы
0
библиотека
0
блог
0
коммент.
1
группы
1
контакты
Участница конференций: 1
29.05 / 31.05 2024 г. XXVII МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФОТОЭЛЕКТРОНИКЕ И ПРИБОРАМ НОЧНОГО ВИДЕНИЯ
Формат участия: Докладчик
Доклад №1: Исследования отношения сигнал/шум и темновых токов гетероструктур на основе соединений сурьмы
Доклад №2: Исследование дизайна и характеристик фоточувствительных элементов на основе твердых растворов CdHgTe
Её работы: новые поступления
Контроль качества гетероэпитаксиальных структур КРТ, предназначенных для изготовления фотоприемных устройств длинноволнового ИК диапазона спектра
Статья
Контроль качества гетероэпитаксиальных с…
Исследование характеристик нагретых объектов в оптически плотных отражающих средах
Статья
Исследование характеристик нагретых объе…
Матричное фотоприемное устройство средневолнового ИК диапазона спектра с nBn-архитектурой из CdHgTe с барьерным слоем на основе сверхрешетки
Статья
Матричное фотоприемное устройство средне…
Фотоприемные устройства на основе p–i–n и барьерных структур средневолнового ИК диапазона спектра
Статья
Фотоприемные устройства на основе p–i–n …
Метод расчета концентрации носителей заряда в полупроводниковых соединениях группы нитридов с учетом модели зонных состояний
Статья
Метод расчета концентрации носителей зар…
Усовершенствованная архитектура фотодиода на основе CdHgTe, предназначенного для регистрации слабого инфракрасного излучения
Статья
Усовершенствованная архитектура фотодиод…
 
Ещё ...
Постов пока нет

Скоро владелец страницы опубликует здесь свои посты.

Доступ к этим данным разрешён только авторизованным пользователям.
  • О научной сети
  • Пользовательское соглашение
  • Защита авторских прав
  • Cookies
  • Обратная связь
  • Privacy Policy
Права на оригинальные тексты, а также на подбор и расположение материалов принадлежат проекту SciNetwork, © 2016 — 2025
SciNetwork, © 2025
Функция добавления в закладки доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция отправки личных сообщений доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция оценок доступна только для авторизованных пользователей. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция добавления в контакты доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.