Статья: Влияние вольфрама на скорость поверхностной рекомбинации в кремнии
Проведено исследование влияния вольфрама на время релаксации фотопроводимости в кремнии. Была выяснена роль вольфрама на скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда в кремнии после термообработки. Определены скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в кремнии после термообработки в присутствии вольфрама и без него. Получено аномальное уменьшение скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в кремнии в присутствии вольфрама. Дано возможное объяснение этого явления.
Информация о документе
- Формат документа
- Кол-во страниц
- 1 страница
- Загрузил(а)
- Лицензия
- —
- Доступ
- Всем
Информация о статье
- ISSN
- 1996-0948
- EISSN
- 2949-561X
- Журнал
- Прикладная физика
- Год публикации
- 2018
- Каталог SCI
- Физика
- УДК
- 53. Физика