Статья: Влияние параметров мезаструктуры на дефектность матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия (2017)

Читать онлайн

Проведено исследование влияния параметров мезаструктуры на дефектность матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия на область спектра 3÷5 мкм формата 320256 элементов с шагом 30 мкм. Получены зависимости одноточечной дефектности и «стойкости» (стабильности токов p–n-переходов в диапазоне рабочих обратных напряжений смещения) от скорости травления антимонида индия, глубины мезаструктур и расстояния между ними в МФЧЭ (матричных фоточувствительных элементах). Определены оптимальные величины указанных параметров мезаструктур. Определен оптимальный угол наклона стенок мезаструктуры – не более 38 градусов. Количество единичных дефектных фотодиодов составило 0,1–0,6 %.

The Influence of mesa parameters on InSb FPA 320x256 defects are investigated. Dependences of onepoint defects and p-n junction currents stability of the FPA from a velocity, depth of etching and distance between mesa structures InSb are obtained.

Ключевые фразы: антимонид индия, МФПУ, мезаструктура, дефектность
Автор (ы): Гришина Анна Николаевна , Власов Павел Валентинович, Ерошенков Владимир Владимирович, Лопухин Алексей Алексеевич
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
62. Инженерное дело. Техника в целом
eLIBRARY ID
28409097
Для цитирования:
ГРИШИНА А. Н., ВЛАСОВ П. В., ЕРОШЕНКОВ В. В., ЛОПУХИН А. А. ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ МЕЗАСТРУКТУРЫ НА ДЕФЕКТНОСТЬ МАТРИЧНЫХ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ АНТИМОНИДА ИНДИЯ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2017. №1
Текстовый фрагмент статьи