Статья: Плазмохимическое травление двухслойной маски молибден-фоторезист (2019)

Читать онлайн

Проведены исследования плазмохимического травления отверстий в двухслойной маске молибден-фоторезист, предназначенной для формирования Lift-of-технологией контактов к фоточувствительным элементам матриц 640512 на основе nBp гетероэпитаксиальных структур с активным слоем InGaAs. Установлено, что после плазмохимического травления окон в жертвенном слое поверхность основы, предназначенной для напыления металла, имеет шероховатость с характерными значениями Ra = 0,007 и Rz = 0,058 мкм соответственно, которые превышают более чем на порядок неровности исходной поверхности основы. Показано, что после плазмохимического травления окон в жертвенном слое на поверхности основы остается перфорированный слой толщиной в несколько десятков нанометров, не поддающийся дальнейшему травлению. Предложен способ обработки пластин с двухслойной маской молибден-фоторезист раствором КОН определенной концентрации, что позволило удалять перфорированный слой, образовавшийся при плазмохимическом травлении отверстий в маске. Полученные результаты позволили уменьшить дефектность и увеличить процент выхода годных матриц.

The paper studies the plasma chemical etching process of the bi-layered molybdenumphotoresist mask for IR focal plane arrays (FPA) based on InGaAs 640512. The investigation shows that after the plasma chemical etching process the layer density about dozens nanometers on the surface of the wafer remains which doesn’t yield further etching. In this paper presented the method of processing wafers with certain concentration solution of KOH after the plasma chemical etching that permit to remove this layer from the surface of the wafer and to proceed the further process.

Ключевые фразы: InGaAs, матрица фоточувствительных элементов, МФЧЭ, гетероэпитаксиальные структуры, ГЭС, lift-of–технология, плазмохимическое травление
Автор (ы): Трухачева Наталия Сергеевна, Седнев Михаил Васильевич, Трухачев Антон Владимирович, Ляликов Алексей Владимирович
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.5. Проводники и полупроводники по виду материала
eLIBRARY ID
39286906
Для цитирования:
ТРУХАЧЕВА Н. С., СЕДНЕВ М. В., ТРУХАЧЕВ А. В., ЛЯЛИКОВ А. В. ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ ДВУХСЛОЙНОЙ МАСКИ МОЛИБДЕН-ФОТОРЕЗИСТ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2019. №4
Текстовый фрагмент статьи